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    貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

    • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
    • 關鍵字: 貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

    UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合

    • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業)和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝,為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態下,第四
    • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

    UnitedSiC(現為 Qorvo)針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合

    • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項,Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業)以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制,能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
    • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET  

    SiC FET的起源及其向著完美開關發展的歷程

    • 使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個示例是,碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發展,直至最新一代產品,并將其性能與替代技術進行了比較。白皮書當然,接近完美的電子開關已經存在很長一段時間了,但是我們這里要談的不是機械開關?,F代功率轉換依賴的是半導體開關,它們最好在打開時沒有電阻,在關閉時電阻和耐受電壓無限大,并能在簡單驅動下以任意快的速度在開關狀態間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
    • 關鍵字: UnitedSiC  SiC  

    有源前端整流器

    • 介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓撲和調制決策的設計技巧,利用指導拓撲和調制決策,有助于消除不可行選項,轉而關注那些可能表現良好的選項。▎引言  ▎電動汽車的蓄電池充電器需要在電網連接和蓄電池之間進行電流隔離。因此,電動汽車充電器幾乎總是有兩個級:一個高電能質量整流器,將AC轉換為DC;然后是DC-DC轉換器,利用高頻變壓器進行電流隔離。SiC FET和二極管的高開關頻率可以滿足使用“舊的”和簡單的電路拓撲的充電器要求,而這種拓撲在硅基開關器件中是不切實際的。例如,用于單相整流的圖騰柱功率
    • 關鍵字: UnitedSiC  

    性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案

    • UnitedSiC(現名Qorvo)擴充了其1200V產品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐,現以TO247-4L(采用開爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能,是不斷成長的電動車市場向著800V母線車載充電器(OBC)和直流轉換器邁進過程中的理想選擇。與前幾代一樣,新FET也非常適合工業電池充電器、工業電源、光伏轉換
    • 關鍵字: UnitedSiC  

    UnitedSiC(現名Qorvo)宣布推出具有業界出眾品質因數的1200V第四代SiC FET

    • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)系列。
    • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管  
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