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    transphorm 文章 進入transphorm技術社區

    Transphorm贏得美國能源部先進能源研究計劃署的合同,提供具有雙向電流和電壓控制功能的新型四象限氮化鎵開關

    • 加州戈利塔----高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布,公司已贏得一份美國能源部先進能源研究計劃署(ARPA-E)的合同。該項目是ARPA-E CIRCUITS計劃的一部分,通過與伊利諾伊理工大學的分包合同開展,包括提供基于氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS)。這些開關管可用于多種電源轉換應用,如電流源型逆變器、變頻器用于驅動器和微型逆變器、矩陣式開關和固態斷路器等新型應用。此項計劃的開展得益于Transph
    • 關鍵字: Transphorm  美國能源部  先進能源研究計劃署  四象限氮化鎵開關  

    飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術

    • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布,全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術,這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺,具有以下優點:系統設計簡單,元件數量少,性能更高,可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm),配備兩個US
    • 關鍵字: 飛宏  USB PD  適配器  Transphorm  氮化鎵  

    Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業標準TO-263 (D2PAK)封裝產品,擴大SuperGaN平臺的優勢

    • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET),典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
    • 關鍵字: Transphorm  GaN  

    Transphorm推出參考設計組合,加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發

    • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設計,旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)。SuperGaN?技術的差異化優勢?電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET,具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢,這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中,與1
    • 關鍵字: Transphorm  氮化鎵  

    安森美半導體和Transphorm推出600 V GaN 晶體管用于緊湊型電源及適配器

    •   推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor),和功率轉換器專家Transphorm,先前宣布雙方建立了合作關系,把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場,今天美國時間宣布推出聯名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設計。   安森美半導體電源分立分部副總裁兼總經理Paul Leonard說:“GaN晶體管為開關電源和其它在能效及功率密
    • 關鍵字: 安森美  Transphorm  
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