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    通過轉向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉換中的權衡問題

    • 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
    • 關鍵字: SiC MOSFET  功率轉換  

    安森美:聚焦SiC產能擴建,推出最新MOSFET產品

    • 近日,安森美公布了2022年第三季度業績,其三季度業績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數據顯示,其三大業務中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執行了一系列的戰略轉型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領域,從傳統的I
    • 關鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  

    EEVIA媒體論壇之英飛凌:賦能未來汽車低碳化和數字化發展

    • 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業鏈研創趨勢展望研討會上,來自英飛凌安全互聯系統事業部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數字化發展“為題,詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。 新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域,特別是在中國這個全球產銷第一的市場,2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額,最大的驅動力是來自于新能源車和電動車??梢灶A想,隨著政府和車廠的支持,電動車未來幾年會迎
    • 關鍵字: 英飛凌  SiC  電動汽車  無人駕駛  

    SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

    • 當前,全球主要國家和地區都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現的過程中,軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能,且帶動大量基礎設施建設,因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業的“碳達峰”路徑有差異,但總體實現時間將較為接近。在中國,這個時間節點是2030年之前。當然,“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區分,比如在工業領域,一方面是重點企業自身通過節能+綠電的方式實現“碳達峰”,另一方面也需要圍繞重點企業的產業鏈上下游全面實現能耗降低。對于軌道交通也是如此,狹義層面的軌交工具,以及廣義
    • 關鍵字: Mouser  SiC  

    碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”

    • 綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用,尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術,可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統,為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置(APU)供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是,SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上,這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
    • 關鍵字: 碳化硅  SiC  電源管理  可配置數字柵極驅動  萬物電氣化  

    士蘭明鎵SiC功率器件生產線初步通線,首個SiC器件芯片投片成功

    • 10月24日,士蘭微發布公告稱,近期,士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線,首個SiC器件芯片已投片成功,首批投片產品各項參數指標達到設計要求,項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試,目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示,公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發,性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上,參數指標較好,繼續完成評測,即將向客戶送樣。據了解,2017年12月1
    • 關鍵字: 士蘭微  士蘭明鎵  SiC  功率器件  

    世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業電源

    • 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優勢和優越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
    • 關鍵字: GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

    使用TI功能安全柵極驅動器提高SiC牽引逆變器的效率

    • 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發成本更低、行駛里程更長的車型,電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力,這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優勢。功率損耗越低則效率越高,因為它會影響系統熱性能,進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著開發的逆變器功率級別更高,每輛汽車的電機數量增加,以及卡車朝著純電動的方向發展,人們將持續要求降低系統功率損耗。過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
    • 關鍵字: TI  功能安全  柵極驅動器  SiC  逆變器  

    貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

    • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
    • 關鍵字: 貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

    東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET

    • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
    • 關鍵字: 東芝  SiC MOSFET  

    安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠

    • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),昨天美國時間舉行了剪彩儀式,慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍,在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈,從SiC粉末和石墨原料的采購,到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證,以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
    • 關鍵字: 安森美  碳化硅工廠  SiC  

    UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合

    • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業)和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝,為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態下,第四
    • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

    UnitedSiC(現為 Qorvo)針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合

    • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項,Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業)以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制,能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
    • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET  

    安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

    • 由于 SiC 具有更快的開關速度,因此對于某些拓撲結構,可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發電和大規模儲能變得越來越重要,最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發電量的一小部分,因此 SiC 將有長遠的發展路向。隨著電動車采用率的增加,充電樁將大規模部署,另外,SiC 最終還將成為電動車主驅逆變器的首選材料,因為它可減少車輛的整體尺寸和重量,且能效更高,可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家,中國汽車OEM技術負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
    • 關鍵字: 202207  安森美  SiC  

    安森美:打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

    • 受訪人:安森美首席碳化硅專家,中國汽車OEM技術負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品?  氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙,用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫,可以突破硅基器件的應用極限,開關速度更快,導通電阻更低,損耗更小,能效更高?! aN的開關頻率比SiC高得多,而SiC的可靠
    • 關鍵字: 安森美  SiC  
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    sic介紹

    SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類:一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數目;另一類是六角型或菱形結構的大周期結構,其中典型的有6H、4H、15R等,統稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境,并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]

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