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    格芯獲得3000萬美元政府基金研發GaN芯片

    • 據外媒《NBC》報道,近日,晶圓代工廠商格芯(GlobalFoundries)獲得3000萬美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱,電動汽車的普及、電網升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示,GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
    • 關鍵字: 格芯獲  GaN  

    GaN IC縮小電機驅動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

    • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計,增強了電機驅動系統的性能、續航能力、精度和扭矩,同時簡化設計。該逆變器尺寸極小,可集成到電機外殼中,從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器,采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC,內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作,可提供高達28 Apk(2
    • 關鍵字: GaN IC  電機驅動器  

    世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業電源

    • 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優勢和優越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
    • 關鍵字: GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

    功率GaN RF放大器的熱考慮因素

    • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿,達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
    • 關鍵字: Wolfspeed  放大器  GaN  

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

    • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能,使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
    • 關鍵字: TI  GaN  

    大聯大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案

    • 2022年9月20日,致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統公司(GaN System)GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯大友尚基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具,然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多,設備有限的續航能力已經無法滿足用戶對
    • 關鍵字: 大聯大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源  

    使用集成GaN解決方案提高功率密度

    • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能,使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
    • 關鍵字: 德州儀器  GaN  功率密度  

    GaN將在數據服務器中挑起效率大梁

    • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢,但這還不夠,能源效率是另一個重點領域,這是因為服務器及其冷卻系統對能源消耗,占據了數據中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優勢,提供卓越的性能和效率,并徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求,并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務的快速建置推動了全球數據服務器的產業規模的成長。今天,數據服務器消耗了全球近1%的電力,這個數字預計會不斷的成長下去。次世代的產業趨勢,例如虛擬世界、增強實境和虛擬現實,所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
    • 關鍵字: GaN  數據服務器  效率  

    殺入新能源汽車市場的GaN,勝算幾何?

    • 在電力電子應用中,為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求,功率密度正在成為關鍵的指標之一?;诠瑁⊿i)的技術日趨接近發展極限,高頻性能和能量密度不斷下降,功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后,正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,GaN也有著許多出色的性能,它的帶隙為3.2eV,幾乎比硅的1.1eV帶
    • 關鍵字: 貿澤電子  GaN  

    東芝級聯共源共柵技術解決 GaN 應用的痛點

    • 和傳統的硅功率半導體相比,GaN(氮化鎵)和 SiC(碳化硅)有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性,簡單來說,GaN 的開關速度比 SiC 快,SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數極小,開關速度極高,比較適合高頻應用,例如:電動汽車的 DC-DC(直流 - 直流)轉換電路、OBC(車載充電)、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發射器和通用射頻放大
    • 關鍵字: 202207  東芝    共源共柵  GaN  

    Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業標準TO-263 (D2PAK)封裝產品,擴大SuperGaN平臺的優勢

    • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET),典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
    • 關鍵字: Transphorm  GaN  

    東芝級聯共源共柵技術解決GaN應用痛點

    • 受訪人:黃文源  東芝電子元件(上海)有限公司半導體技術統括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品?  回答:自從半導體產品面世以來,硅一直是半導體世界的代名詞。但是,近些年,隨著化合物半導體的出現,這種情況正在被逐漸改變。通常,半導體業界將硅(Si)作為第一代半導體的代表,將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
    • 關鍵字: 東芝  GaN  級聯共源共柵  

    第三代半導體市場的“互補共生”

    •   受訪人:Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營銷組的應用經理,負責工業和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計,并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI,大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品? 
    • 關鍵字: TI  第三代半導體  GaN  SiC  

    GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?

    • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世,電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。事實上,GaN行業已經在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同,比如“這是否通過了鑒定?”盡管GaN器件也通過了硅鑒定,但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點,因
    • 關鍵字: GaN  FET  電源  可靠性  

    破解SiC、GaN柵極動態測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

    • SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優于傳統 Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時,SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰,稍有不慎就無法獲得正確的波形,從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態特性測量中,最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量,包括兩個部分:開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的,這會導致設備和人員危險,同時還會由
    • 關鍵字: SiC  GaN  柵極動態測試  光隔離探頭  
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