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    UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合

    —— 7 款 D2PAK 表貼器件提供出色的靈活性
    作者:時間:2022-08-04來源:電子產品世界收藏

    移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 ?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案, 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業)和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝,為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。

    本文引用地址:http://www.me-unplugged.com/article/202208/436988.htm

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    在 650/ 狀態下,第四代 UJ4C/SC 系列的 RDS(on) 為 9 毫歐姆 (mohm),實現行業低水平,該系列的額定電阻為 9、11、18、23、33、44 和 60 豪歐姆。該廣泛選擇為工程師提供更多器件選項,支持更大的靈活性,以實現理想成本/效率平衡,同時維持豐富的設計裕量和電路穩健性。這些器件利用獨到的共源共柵 技術,其中,處于常開狀態的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝,產生處于常閉狀態的 ,這些器件提供出色的 RDS x A 品質因數,能夠最大限度減少小尺寸裸片中的傳導損失。

    (現已被 收購)總工程師 Anup Bhalla 表示:“D2PAK-7L 封裝可減少緊湊內部連接回路中的電感,再加上附帶的開爾文源連接,能夠實現低開關損耗,支持更高的工作頻率,并提高系統功率密度。此外,這些器件采用銀燒結芯片貼裝,通過液體冷卻最大限度排出標準 PCB 和 IMS 基板上的熱量,因此熱阻非常低?!?/p>

    采用 D2PAK-7L 封裝系列的全新 第四代 SiC FET 售價(1000 件起,美國離岸價)為 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通過授權經銷商銷售。

    如需進一步了解 (現已被 Qorvo收購)UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行業先進的性能品質因數,降低傳導損失,提高更高速度時的效率,同時改善整體成本效率,請訪問 https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。如需下載 Qorvo SiC FET 用戶指南副本,請點擊此處。

     



    關鍵詞: UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET

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