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    Nexperia發布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

    —— DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應用中節省電力并簡化散熱管理
    作者:時間:2022-07-27來源:電子產品世界收藏

    基礎半導體器件領域的高產能生產專家今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench ,該產品采用超緊湊DSN1006封裝,具有市場領先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下,可使電力更為持久。image.png

    本文引用地址:http://www.me-unplugged.com/article/202207/436697.htm

    新型非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢,滿足了增加系統功耗的需求。

     

    RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現在自發熱降低,從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。

     

    具體而言,在VGS =4.5V時,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場上類似的30V 中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。

     

    除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外,還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ,在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場領先的效率。

     

    30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現已供貨,可從獲得。




    關鍵詞: Nexperia 晶圓級 MOSFET

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